TMBS是“Trench MOS Barrier Schottky”的缩写，中文意思是沟槽式MOS势垒肖特基。肖特基二极管凭借其极低的正向导通压降（VF）和几乎为零的反向恢复时间（Trr），在现代电子技术中占据举足轻重的地位。TMBS器件结构与平面肖特基二极管相比，就是在外延层表面多了一些刻蚀出来的沟槽，沟槽里填充导电材料（通常是多晶硅）。通过干法刻蚀在N-外延层表面形成深沟槽，深度、宽度、间距等参数直接决定了电荷耦合效应的强度和电场分布，沟槽的深度通常需要大于零偏置时的耗尽区宽度。槽内填充重掺杂N型多晶硅，内壁有SiO2介质层隔离。

肖特基二极管是基于肖特基接触原理开发出来的，TMBS相比于普通平面肖特基多了一个电荷耦合效应，因此在反向耐压时原理有所不同。电荷耦合效应的存在可以在保持器件耐压的同时增加外延掺杂浓度（N-漂移区），降低肖特基二极管正向压降。沟槽结构通过电荷耦合效应，将电场峰值从肖特基结表面转移到器件内部，降低了金属-半导体界面的电场强度。镜像力对势垒高度的影响也随之减小，从而显著抑制了由该效应引起的漏电流。